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PEMD13

更新时间： 2024-11-16 11:14:55

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	233K
描述
50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩProduction

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PEMD13 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN AND PNP	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PEMD13 数据手册

PEMD13

50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor;

R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ

28 December 2022

Product data sheet

1. General description

NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistor (RET) in an ultra small and flat lead SOT666

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN/NPN complement: PEMH13

PNP/PNP complement: PEMB13

2. Features and benefits

•

100 mA output current capability

•

Built-in bias resistors

Simplifies circuit design

Reduces component count

Reduces pick and place costs

3. Applications

•

Low current peripheral driver

Controlling IC inputs

Replaces general-purpose transistors in digital applications

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor; for the PNP transistor (TR2) with negative polarity where applicable

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

I_O

output current

100

6.1

kΩ

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

[1]

3.3

4.7

R2/R1

[1] See section "Test information" for resistor calculation and test conditions.

12 3 4 5 6 7...13

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