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PEMD10,115 PDF预览

PEMD10,115

更新时间： 2024-11-15 20:10:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
16页 926K
描述
PEMD10; PUMD10 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ SOT 6-Pin

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PEMD10,115 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：PLASTIC PACKAGE-6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.29
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PEMD10,115 数据手册

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PEMD10; PUMD10  
NPN/PNP resistor-equipped transistors;  
R1 = 2.2 k, R2 = 47 k  
Rev. 6 — 4 January 2012  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
NPN/PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic  
packages.  
Table 1.  
Product overview  
Type number Package  
NXP  
PNP/PNP  
NPN/NPN  
Package  
complement complement configuration  
JEITA  
-
PEMD10  
PUMD10  
SOT666  
SOT363  
PEMB10  
PUMB10  
PEMH10  
PUMH10  
ultra small and flat lead  
very small  
SC-88  
1.2 Features and benefits  
100 mA output current capability  
Built-in bias resistors  
Reduces component count  
Reduces pick and place costs  
AEC-Q101 qualified  
Simplifies circuit design  
1.3 Applications  
Low current peripheral driver  
Control of IC inputs  
Replaces general-purpose transistors in digital applications  
1.4 Quick reference data  
Table 2.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Per transistor; for the PNP transistor (TR2) with negative polarity  
VCEO  
IO  
collector-emitter voltage  
output current  
open base  
-
-
50  
V
-
-
100  
2.86  
26  
mA  
k  
R1  
bias resistor 1 (input)  
bias resistor ratio  
1.54  
17  
2.20  
21  
R2/R1  
 
 
 
 
 
1234567...16

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PEMD10,115 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kW, R2 = 4.7 kW

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