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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.27 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PEMB4,115 | NXP |
类似代替  |
PEMB4; PUMB4 - PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOhm, R2 = open SOT 6-Pin |
|
| PEMB4 | NXP |
类似代替 |
PNP resistor-equipped double transistor R1 = 10 kohm, R2 = open |
|
| NSBA114YDXV6T1G | ONSEMI |
功能相似 |
Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 10 k, R2 = 47 k |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PEMB9,115 | NXP |
获取价格 |
PEMB9; PUMB9 - PNP/PNP resistor-equipped tran |
|
| PEMB9,315 | NXP |
获取价格 |
PEMB9; PUMB9 - PNP/PNP resistor-equipped tran |
|
| PEMD10 | NXP |
获取价格 |
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kohm, R2 = 47 kohm |
|
| PEMD10 | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double |
|
| PEMD10,115 | NXP |
获取价格 |
PEMD10; PUMD10 - NPN/PNP resistor-equipped tr |
|
| PEMD12 | NXP |
获取价格 |
NPN/PNP resistor-equipped transistors |
|
| PEMD12 | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double |
|
| PEMD12,115 | NXP |
获取价格 |
PEMD12; PUMB12 - NPN/PNP resistor-equipped tr |
|
| PEMD12,315 | NXP |
获取价格 |
PEMD12; PUMB12 - NPN/PNP resistor-equipped tr |
|
| PEMD13 | NXP |
获取价格 |
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 47 kohm |
|
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