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PEMB30,315

更新时间： 2024-01-16 11:35:22

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恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
10页	60K
描述
PEMB30; PUMB30 - PNP/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = open SOT 6-Pin

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PEMB30,315 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.6
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON

PEMB30,315 数据手册

PEMB30; PUMB30

PNP/PNP double resistor-equipped transistors;

R1 = 2.2 kΩ, R2 = open

Rev. 02 — 2 September 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

PNP/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD)

plastic packages

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

NPN/PNP

complement

NPN/NPN

complement

JEITA

PEMB30

PUMB30

SOT666

SOT363

PEMD30

PUMD30

PEMH30

PUMH30

SC-88

1.2 Features

I 100 mA output current capability

I Built-in bias resistors

I Reduces component count

I Reduces pick and place costs

I Simpliﬁes circuit design

1.3 Applications

I Low current peripheral driver

I Cost-saving alternative for BC857BS

and BC857BV

I Control of IC inputs

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_CEOcollector-emitter voltage

I_O

open base

−50

output current

−100

2.86

kΩ

bias resistor 1 (input)

1.54

2.2

12 3 4 5 6 7...10

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