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PDTA115TT

更新时间： 2024-11-13 11:11:11
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA /
页数 文件大小 规格书
18页 219K
描述
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = openProduction

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PDTA115TT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.68其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PDTA115TT 数据手册

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Important notice  
Dear Customer,  
On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the  
tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS  
semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable  
application markets  
In data sheets and application notes which still contain NXP or Philips Semiconductors references, use  
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Instead of http://www.nxp.com, http://www.philips.com/ or http://www.semiconductors.philips.com/,  
use http://www.nexperia.com  
Instead of sales.addresses@www.nxp.com or sales.addresses@www.semiconductors.philips.com, use  
salesaddresses@nexperia.com (email)  
Replace the copyright notice at the bottom of each page or elsewhere in the document, depending on  
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- © NXP N.V. (year). All rights reserved or © Koninklijke Philips Electronics N.V. (year). All rights  
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If you have any questions related to the data sheet, please contact our nearest sales office via e-mail  
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understanding,  
Kind regards,  
Team Nexperia  
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PDTA115TT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PDTA115ET NXP

功能相似

 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW

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 		PNP resistor-equipped transistors
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