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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-236 | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.39 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| DDTA115GCA-7 | DIODES |
功能相似  |
暂无描述 |
|
| DDTA115TKA-7-F | DIODES |
功能相似 |
PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SC-59 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
|
| DDTA115TCA-7 | DIODES |
功能相似 |
PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-23 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTA115TU | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
|
| PDTA115TU | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = openProduction |
|
| PDTA115TU,115 | NXP |
获取价格 |
PDTA115T series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = open SC-70 3-Pin |
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| PDTA123E | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors |
|
| PDTA123EE | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors |
|
| PDTA123EEF | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors |
|
| PDTA123EEF,115 | NXP |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
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| PDTA123EK | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors |
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| PDTA123EK | PHILIPS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, |
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| PDTA123EM | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors |
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