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PDTA123EM

更新时间: 2024-09-24 04:10:51
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恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
14页 92K
描述
PNP resistor-equipped transistors

PDTA123EM 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SC-101包装说明:1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.23
Is Samacsys:N其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PBCC-N3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.25 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PDTA123EM 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PDTA123E series  
PNP resistor-equipped transistors;  
R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kΩ  
Product specification  
2004 Aug 02  
Supersedes data of 2004 Apr 07  

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