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PDTA123JEF

更新时间: 2024-11-11 22:14:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 53K
描述
PNP resistor-equipped transistor

PDTA123JEF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-89包装说明:PLASTIC, SC-89, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.6
Is Samacsys:N其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-F3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PDTA123JEF 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PDTA123JEF  
PNP resistor-equipped transistor  
1999 Apr 20  
Preliminary specification  

与PDTA123JEF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PDTA123JEF,115 NXP

获取价格

100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-89, 3 PIN
PDTA123JEFT/R NXP

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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-89, 3 PIN, BIP Gene
PDTA123JET/R NXP

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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP Gene
PDTA123JK NXP

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NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTA123JM NXP

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NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTA123JM NEXPERIA

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PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k
PDTA123JM,315 NXP

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PDTA123J series - PNP resistor-equipped trans
PDTA123JMB NEXPERIA

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PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ
PDTA123JQA NEXPERIA

获取价格

50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistorsProduction
PDTA123JQB-Q NEXPERIA

获取价格

50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistorsProduction