PDTA123JT

更新时间： 2024-09-23 22:50:43

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恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	55K
描述
PNP resistor-equipped transistor

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PDTA123JT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

book, halfpage

M3D088

PDTA123JT

PNP resistor-equipped transistor

1999 May 27

Product speciﬁcation

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PDTA123JT,215	NXP	功能相似	PDTA123J series - PNP resistor-equipped trans

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDTA123JT,215	NXP	获取价格	PDTA123J series - PNP resistor-equipped trans
PDTA123JU	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTA123JU	NEXPERIA	获取价格	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k
PDTA123JU,115	NXP	获取价格	PDTA123J series - PNP resistor-equipped trans
PDTA123T	NXP	获取价格	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open
PDTA123TE	NXP	获取价格	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open
PDTA123TK	NXP	获取价格	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open
PDTA123TM	NEXPERIA	获取价格	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = openProduction
PDTA123TM	NXP	获取价格	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open
PDTA123TMB	NXP	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR