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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.22 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTA123TT,215 | NXP |
获取价格 |
PDTA123T series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = open TO-236 3-Pin |
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| PDTA123TU | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PDTA123TU | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = openProduction |
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| PDTA123Y | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 10 kW |
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| PDTA123YE | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 10 kW |
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| PDTA123YK | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 10 kW |
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| PDTA123YM | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 10 kW |
|
| PDTA123YM | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhmProduction |
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| PDTA123YM,315 | NXP |
获取价格 |
PDTA123Y series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm DFN 3-Pin |
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| PDTA123YMB | NXP |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA |
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