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PDTA123YT

更新时间: 2024-09-24 04:10:51
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 956K
描述
Low VCEsat (BISS) transistors

PDTA123YT 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:PLASTIC PACKAGE-3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.22其他特性:BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):35
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.25 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PDTA123YT 数据手册

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