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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-PBCC-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.6 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 |
| JESD-30 代码： | R-PBCC-N3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTA123YM,315 | NXP |
获取价格 |
PDTA123Y series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm DFN 3-Pin |
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| PDTA123YMB | NXP |
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100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA |
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| PDTA123YMB | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ |
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| PDTA123YMB,315 | NXP |
获取价格 |
PDTA123YMB - PNP resistor-equipped transistor |
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| PDTA123YQB | NEXPERIA |
获取价格 |
Production |
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| PDTA123YQB-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
Production |
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| PDTA123YS | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 10 kW |
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| PDTA123YT | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PDTA123YT | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhmProduction |
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| PDTA123YU | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
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