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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.59 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 参考标准： | IEC-60134 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTA123YU | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PDTA123YU | NEXPERIA |
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PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhmProduction |
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| PDTA123YU,115 | NXP |
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PDTA123Y series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm SC-70 3-P |
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| PDTA124E | NXP |
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PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kÎ |
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| PDTA124EE | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistor |
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| PDTA124EE,115 | NXP |
获取价格 |
PDTA124E series - PNP resistor-equipped trans |
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| PDTA124EEF | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistor |
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| PDTA124EEF,115 | NXP |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
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| PDTA124EEFT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-89, 3 PIN, BIP Gene |
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| PDTA124EET/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP Gene |
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