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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SC-89 | 包装说明： | PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.11 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PDTA123EE | NXP |
类似代替  |
PNP resistor-equipped transistors |
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| PDTA123EEF,115 | NXP |
功能相似 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTA123EEF,115 | NXP |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
|
| PDTA123EK | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors |
|
| PDTA123EK | PHILIPS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, |
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| PDTA123EM | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors |
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| PDTA123EM | PHILIPS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon |
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| PDTA123EM | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhmProduction |
|
| PDTA123EM,315 | NXP |
获取价格 |
PDTA123E series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm DFN 3-Pi |
|
| PDTA123EMB | NXP |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA |
|
| PDTA123EMB | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ |
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| PDTA123ES | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors |
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