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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.59 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BCX70G | ONSEMI |
功能相似  |
NPN外延硅晶体管 |
|
| MMBTA14 | BL Galaxy Electrical |
功能相似 |
NPN General Purpose Transistor |
|
| MMBTA14LT1 | LRC |
功能相似 |
Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTA123EM | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors |
|
| PDTA123EM | PHILIPS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon |
|
| PDTA123EM | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhmProduction |
|
| PDTA123EM,315 | NXP |
获取价格 |
PDTA123E series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm DFN 3-Pi |
|
| PDTA123EMB | NXP |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA |
|
| PDTA123EMB | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ |
|
| PDTA123ES | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors |
|
| PDTA123ET | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistor |
|
| PDTA123ET | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhmProduction |
|
| PDTA123ET,215 | NXP |
获取价格 |
PDTA123E series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm TO-236 3 |
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