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NUP4301MR6T1

更新时间： 2024-09-13 22:10:07
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安森美 - ONSEMI 二极管光电二极管局域网
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4页 48K
描述
Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Four Data Lines

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NUP4301MR6T1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 318F-04, TSOP-6针数：6
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.59Is Samacsys：N
最小击穿电压：70 V击穿电压标称值：70 V
配置：COMPLEX二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0元件数量：8
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性：UNIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：70 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

NUP4301MR6T1 数据手册

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NUP4301MR6T1  
Low Capacitance Diode  
Array for ESD Protection in  
Four Data Lines  
NUP4301MR6T1 is a MicroIntegration device designed to  
provide protection for sensitive components from possible harmful  
electrical transients; for example, ESD (electrostatic discharge).  
http://onsemi.com  
PIN CONFIGURATION  
AND SCHEMATIC  
Features  
• Low Capacitance (1.5 pf Maximum Between I/O Lines)  
• Single Package Integration Design  
• Provides ESD Protection for JEDEC Standards JESD22  
Machine Model = Class C  
I/O 1  
6 I/O  
5 V  
V
N
2
P
Human Body Model = Class 3B  
• Protection for IEC61000-4-2 (Level 4)  
8.0 kV (Contact)  
4 I/O  
1/O 3  
15 kV (Air)  
• Ensures Data Line Speed and Integrity  
• Fewer Components and Less Board Space  
• Direct the Transient to Either Positive Side or to the Ground  
MARKING DIAGRAM  
4
5
6
3
Applications  
d
2
1
64  
• USB 1.1 and 2.0 Data Line Protection  
• T1/E1 Secondary IC Protection  
• T3/E3 Secondary IC Protection  
• HDSL, IDSL Secondary IC Protection  
• Video Line Protection  
TSOP-6  
CASE 318F  
PLASTIC  
64 = Specific Device Code  
d
= Date Code  
• Microcontroller Input Protection  
• Base Stations  
• I C Bus Protection  
ORDERING INFORMATION  
2
Device  
Package  
Shipping  
NUP4301MR6T1 TSOP-6  
3000/Tape & Reel  
MAXIMUM RATINGS (Each Diode) (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
mAdc  
mAdc  
V
V
R
Forward Current  
I
F
200  
500  
70  
Peak Forward Surge Current  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
I
FM(surge)  
V
RRM  
Average Rectified Forward  
Current (Note 1)  
I
715  
mA  
F(AV)  
(averaged over any 20 ms period)  
Repetitive Peak Forward Current  
I
450  
mA  
A
FRM  
Non-Repetitive Peak Forward Current  
I
FSM  
t = 1.0 ms  
t = 1.0 ms  
t = 1.0 S  
2.0  
1.0  
0.5  
1. FR-5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
February, 2003 - Rev. 2  
NUP4301MR6T1/D  
1234

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NUP4301MR6T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NUP4301MR6T1G ONSEMI

完全替代

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NUP4304MR6T1 ONSEMI

类似代替

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