NUP45V6P5T5G

更新时间： 2024-11-05 03:21:03

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	51K
描述
Low Capacitance Quad Array for ESD Protection

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NUP45V6P5T5G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F5	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	1.56	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	最大击穿电压：	5.9 V
最小击穿电压：	5.3 V	击穿电压标称值：	5.6 V
配置：	COMMON ANODE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	14 W	元件数量：	4
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	3 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

NUP45V6P5T5G 数据手册

NUP45V6P5 Series

Product Preview

Low Capacitance

Quad Array for

ESD Protection

http://onsemi.com

These integrated transient voltage suppressor devices (TVS) are

designed for applications requiring transient overvoltage protection.

They are intended to be used in sensitive equipment such as wireless

headsets, PDAs, digital cameras, computers, printers, communication

systems, medical equipment, and other applications. Their integrated

design provides very effective and reliable protection for four separate

lines using only one package. These devices are ideal for situations

where board space is at a premium.

Features

• ESD Protection: IEC61000−4−2: Level 4

MILSTD 883C − Method 3015−6: Class 3

• Four Separate Unidirectional Configurations for Protection

• Low Leakage Current < 1 mA @ 3 V

• Small SOT−953 SMT Package

• Low Capacitance

SOT−953

CASE 526AB

• These are Pb−Free Devices

MARKING DIAGRAM

Benefits

• Provides Protection for ESD Industry Standards: IEC 61000, HBM

• Protects Four Lines Against Transient Voltage Conditions

• Minimize Power Consumption of the System

• Minimize PCB Board Space

x M

= Specific Device Code

= Date Code

G or G = Pb−Free Package

Typical Applications

• Cellular and Portable Electronics

• Serial and Parallel Ports

• Microprocessor Based Equipment

• Notebooks, Desktops, Servers

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

NUP45V6P5T5G

NUP46V8P5T5G

NUP412VP5T5G

SOT−953

(Pb−Free)

8000 /

Tape & Reel

SOT−953

(Pb−Free)

8000 /

Tape & Reel

SOT−953

(Pb−Free)

8000 /

Tape & Reel

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

This document contains information on a product under development. ON Semiconductor

reserves the right to change or discontinue this product without notice.

Publication Order Number:

October, 2006 − Rev. P5

NUP45V6P5/D

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与NUP45V6P5T5G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NUP46V8P5	ONSEMI	获取价格	Low Capacitance Quad Array for ESD Protection
NUP46V8P5T5G	ONSEMI	获取价格	Low Capacitance Quad Array for ESD Protection
NUP5120/D	ETC	获取价格	5-Line Transient Voltage Suppressor Array
NUP5120X6	ONSEMI	获取价格	5−Line Transient Voltage Suppressor Array
NUP5120X6T1	ROCHESTER	获取价格	90W, UNIDIRECTIONAL, 5 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, CASE 463A-01, 6 PIN
NUP5120X6T1	ONSEMI	获取价格	浪涌保护器阵列
NUP5120X6T1G	ONSEMI	获取价格	5−Line Transient Voltage Suppressor Array
NUP5120X6T2	ONSEMI	获取价格	浪涌保护器阵列
NUP5120X6T2G	ONSEMI	获取价格	5−Line Transient Voltage Suppressor Array
NUP5120X6T2GH	ONSEMI	获取价格	浪涌保护器阵列

与NUP45V6P5T5G相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NUP45V6P5T5G

NUP45V6P5T5G 技术参数

NUP45V6P5T5G 数据手册

与NUP45V6P5T5G相关器件

与NUP45V6P5T5G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NUP45V6P5T5G

NUP45V6P5T5G 技术参数

NUP45V6P5T5G 数据手册

与NUP45V6P5T5G相关器件

与NUP45V6P5T5G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？