是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | End Of Life |
包装说明: | R-PDSO-F5 | 针数: | 5 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 5.75 | 其他特性: | LOW LEAKAGE CURRENT |
最大击穿电压: | 7.14 V | 最小击穿电压: | 6.47 V |
击穿电压标称值: | 6.8 V | 配置: | COMMON ANODE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 20 W |
元件数量: | 4 | 端子数量: | 5 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 4.3 V | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NZQA6V8AXV5T1G | ONSEMI |
功能相似 |
Transient Voltage Suppressors ESD Protection Diode with Low Clamping Voltage | |
ESDALC6V1P6 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
QUAD LOW CAPACITANCE TRANSIL⑩ ARRAY FOR ESD P | |
ESDALC6V1P5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
QUAD LOW CAPACITANCE TRANSIL ARRAY FOR ESD PROTECTION |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NUP5120/D | ETC |
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5-Line Transient Voltage Suppressor Array | |
NUP5120X6 | ONSEMI |
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5−Line Transient Voltage Suppressor Array | |
NUP5120X6T1 | ROCHESTER |
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90W, UNIDIRECTIONAL, 5 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, CASE 463A-01, 6 PIN | |
NUP5120X6T1 | ONSEMI |
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浪涌保护器阵列 | |
NUP5120X6T1G | ONSEMI |
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5−Line Transient Voltage Suppressor Array | |
NUP5120X6T2 | ONSEMI |
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浪涌保护器阵列 | |
NUP5120X6T2G | ONSEMI |
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5−Line Transient Voltage Suppressor Array | |
NUP5120X6T2GH | ONSEMI |
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浪涌保护器阵列 | |
NUP5150MU | ONSEMI |
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5-Line Transient Voltage Suppressor Array | |
NUP5150MUTBG | ONSEMI |
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5-Line Transient Voltage Suppressor Array |