是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DFN |
包装说明: | R-PDSO-N8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.82 |
最大击穿电压: | 5.9 V | 最小击穿电压: | 5.3 V |
击穿电压标称值: | 5.6 V | 最大钳位电压: | 13 V |
配置: | SEPARATE, 8 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-N8 |
JESD-609代码: | e3 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 20 W |
元件数量: | 8 | 端子数量: | 8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 265 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 3 V | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NUP8100D | ONSEMI |
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Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Array | |
NUP8100DT1G | ONSEMI |
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Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Array | |
NUPH1128HT1G | ONSEMI |
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IVN Bus Protector, Single Line LIN & Dual Line CAN | |
NUR1106W | STANLEY |
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Single Color Super Wide Angle Type (t=1.3 mm) | |
NUR30Q | ONSEMI |
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Quad Schottky Barrier Diodes Array | |
NUR30Q/D | ETC |
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Quad Schottky Barrier Diodes Array | |
NUR30QW5T1 | ONSEMI |
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Quad Schottky Barrier Diodes Array | |
NUR30QW5T1G | ONSEMI |
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0.2A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, LEAD FREE, ULTRA SMALL, CASE 419A-02, SC-88A, SC-7 | |
NUR460 | NXP |
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Ultrafast power diode | |
NUR460/L03,112 | NXP |
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NUR460 |