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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTY100N10G
NTY100N10G PDF预览

NTY100N10G

更新时间： 2024-11-15 06:00:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 158K
描述
Power MOSFET 123 A, 100 V N−Channel Enhancement−Mode TO264 Package

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NTY100N10G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-264AA包装说明：LEAD FREE, CASE 340G-02 STYLE 1, TO-3BPL, TO-264, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.33雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：123 A最大漏极电流 (ID)：123 A
最大漏源导通电阻：0.01 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-264AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：313 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：369 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTY100N10G 数据手册

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NTY100N10  
Preferred Device  
Power MOSFET 123 A,  
100 V N−Channel  
Enhancement−Mode TO264  
Package  
http://onsemi.com  
Features  
123 A, 100 V  
9 mW @ VGS = 10 V (Typ)  
• Source−to−Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete  
Fast Recovery Diode  
• Avalanche Energy Specified  
• IDSS and R  
Specified at Elevated Temperature  
• Pb−Free Package is Available*  
DS(on)  
N−Channel  
D
Applications  
• PWM Motor Control  
• Power Supplies  
• Converters  
G
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
Rating  
Drain−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
V
100  
100  
DSS  
DGR  
Drain−Gate Voltage (R = 1 MW)  
V
V
V
GS  
Gate−Source Voltage  
− Continuous  
V
$20  
$40  
V
V
GS  
GSM  
NTY100N10  
AYYWWG  
− Non−Repetitive (t v 10 ms)  
p
1
2
Drain Current (Note 1)  
A
A
3
− Continuous @ T = 25°C  
I
123  
369  
C
D
TO−264  
CASE 340G  
STYLE 1  
− Pulsed  
I
DM  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Derate above 25°C  
P
D
313  
2.5  
Watts  
W/°C  
1
G
2
D
3
S
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
°C  
J
stg  
A
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
150  
YY  
WW  
G
Single Pulse Drain−to−Source  
E
AS  
500  
mJ  
= Pb−Free Package  
Avalanche Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 80 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
Peak I = 100 Apk, L = 0.1 mH, R = 25 W)  
L
G
ORDERING INFORMATION  
Thermal Resistance  
− Junction to Case  
R
R
0.4  
25  
°C/W  
°C  
q
JC  
− Junction to Ambient  
q
JA  
Device  
Package  
Shipping  
25 Units/Rail  
25 Units/Rail  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 0.125 in from case for 10 seconds  
T
260  
NTY100N10  
TO−264  
L
NTY100N10G  
TO−264  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
RecommendedOperating Conditions may affect device reliability.  
(Pb−Free)  
1. Pulse Test: Pulse Width = 10 ms, Duty−Cycle = 2%.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
downloadthe ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference  
Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 2  
NTY100N10/D  
12345678

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NTY100N10G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTY100N10 ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 123 A, 100 V N-Channel Enhancement-Mode TO264 Package
STW120NF10 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 100V - 0.009OHM - 110A - TO-247 - TO-220 - D2PAK STripFET2 Power MOSFET

与NTY100N10G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTY100N10TBD ONSEMI

获取价格

 		123A, 100V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA, CASE 340G-02 STYLE 1, TO-3BPL
NTZD3151P ONSEMI

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 		High Efficiency DC-DC Converters
NTZD3152P ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET −20 V, −430 mA, Dual P−Channel with ESD Protection,
NTZD3152PT1G ONSEMI

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 		Small Signal MOSFET −20 V, −430 mA, Dual P−Channel with ESD Protection,
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 		Small Signal MOSFET −20 V, −430 mA, Dual P−Channel with ESD Protection,
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 		Small Signal MOSFET −20 V, −430 mA, Dual P−Channel with ESD Protection,
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 		Small Signal MOSFET 20 V, 540 mA, Dual N−Channel
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 		Small Signal MOSFET 20 V, 540 mA, Dual N−Channel
NTZD3154NT2G ONSEMI

获取价格

 		双 N 沟道，小信号 MOSFET，20V，540mA，550mΩ

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