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NTY100N10TBD

更新时间： 2024-10-02 13:12:03

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	74K
描述
123A, 100V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA, CASE 340G-02 STYLE 1, TO-3BPL, TO-264, 3 PIN

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NTY100N10TBD 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	123 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	369 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTY100N10TBD 数据手册

NTY100N10

Preferred Device

Power MOSFET 123 A,

100 V N−Channel

Enhancement−Mode TO264

Package

http://onsemi.com

Features

123 A, 100 V

9 mW @ V_GS= 10 V (TYP)

• Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete

Fast Recovery Diode

• Avalanche Energy Specified

• IDSS and R

Specified at Elevated Temperature

DS(on)

N-Channel

Applications

• PWM Motor Control

• Power Supplies

• Converters

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Drain-Source Voltage

Symbol Value

Unit

100

DSS

DGR

MARKING

DIAGRAM

Drain-Gate Voltage (R = 1 MW)

Gate-Source Voltage

- Continuous

$20

$40

GSM

- Non-Repetitive (t v 10 ms)

Drain Current (Note 1)

NTY100N10

LLYWW

- Continuous @ T = 25°C

123

369

TO-264

340G

Style 1

- Pulsed

Total Power Dissipation (Note 1)

Derate above 25°C

313

5.0

Watts

W/°C

Gate

Operating and Storage Temperature Range

T , T

- 55 to

150

°C

stg

Source

Single Pulse Drain-to-Source

Avalanche Energy - Starting T = 25°C

500

Drain

(V = 80 Vdc, V = 10 Vdc, Peak

I = 100 Apk, L = 0.1 mH, R = 25 W)

=LocationCode

= Year

= Work Week

Thermal Resistance

- Junction to Case

- Junction to Ambient

0.4

°C/W

°C

Maximum Lead Temperature for Soldering Pur-

poses, 0.125 in from case for 10 seconds

260

ORDERING INFORMATION

1. Pulse Test: Pulse Width = 10 ms, Duty-Cycle = 2%.

Device

Package

Shipping

25 Units/Rail

NTY100N10

TO-264

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2003

Publication Order Number:

February, 2003 - Rev. 0

NTY100N10/D

12 3 4 5 6 7 8

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NTZD3152PT5G	ONSEMI	获取价格	Small Signal MOSFET −20 V, −430 mA, Dual P−Channel with ESD Protection,
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