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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTZD3156CT1G
NTZD3156CT1G PDF预览

NTZD3156CT1G

更新时间： 2024-11-15 06:00:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 120K
描述
Small Signal MOSFET

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NTZD3156CT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：1.60 X 1.60 MM, LEAD FREE, CASE 463A-01, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.54 A最大漏极电流 (ID)：0.54 A
最大漏源导通电阻：0.55 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.28 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTZD3156CT1G 数据手册

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NTZD3156C  
Small Signal MOSFET  
20 V, 540 mA / −20 V, −430 mA  
Complementary N− and P−Channel  
MOSFETs with Integrated Pull Up/Down  
Resistor and ESD Protection  
http://onsemi.com  
Features  
I
Max  
D
• Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance  
• High Efficiency System Performance  
• Low Threshold Voltage  
V
R
Max  
DS(on)  
(Note 1)  
(BR)DSS  
0.55 W @ 4.5 V  
0.7 W @ 2.5 V  
N−Channel  
540 mA  
20 V  
• Integrated G−S Resistor on Both Devices  
• ESD Protected Gate  
0.9 W @ 1.8 V  
0.9 W @ −4.5 V  
1.2 W @ −2.5 V  
2.0 W @ −1.8 V  
• Small Footprint 1.6 x 1.6 mm  
• These are Pb−Free Devices  
P−Channel  
−20 V  
−430 mA  
Applications  
PINOUT: SOT−563  
• Load/Power Switching with Level Shift  
• Portable Electronic Products such as GPS, Cell Phones, DSC, PMP,  
Bluetooth Accessories  
S
G
D
1
6
5
4
D
1
1
1
2
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise specified)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
2
3
G
2
V
20  
6
V
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
S
2
N−Channel Continu-  
ous Drain Current  
(Note 1)  
T = 25°C  
540  
390  
570  
−430  
−310  
−455  
250  
A
Steady  
State  
T = 85°C  
A
Top View  
t v 5 s  
T = 25°C  
A
I
D
mA  
P−Channel Continu-  
ous Drain Current  
(Note 1)  
T = 25°C  
MARKING  
DIAGRAM  
A
Steady  
State  
6
T = 85°C  
A
1
t v 5 s  
T = 25°C  
A
SOT−563−6  
CASE 463A  
STYLE 9  
ZC M G  
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady  
State  
G
T = 25°C  
A
P
D
mW  
ZC  
M
G
= Specific Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
t v 5 s  
280  
Pulsed Drain Current N−Channel  
P−Channel  
1500  
−750  
t = 10 ms  
p
I
mA  
DM  
(Note: Microdot may be in either location)  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
150  
°C  
J
ORDERING INFORMATION  
T
†
Source Current (Body Diode)  
I
350  
260  
mA  
Device  
Package  
Shipping  
S
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
°C  
NTZD3156CT1G SOT−563 4000 / Tape & Reel  
NTZD3156CT2G SOT−563 4000 / Tape & Reel  
T
L
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq. pad size  
NTZD3156CT5G SOT−563 8000 / Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
September, 2008 − Rev. 0  
NTZD3156C/D  
 
12345678

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NTZD3156CT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTZD3156CT5G ONSEMI

完全替代

 Small Signal MOSFET
NTZD3156CT2G ONSEMI

完全替代

 Small Signal MOSFET
NTZD3155CT1G ONSEMI

类似代替

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