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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTZS3151PT1G
NTZS3151PT1G PDF预览

NTZS3151PT1G

更新时间： 2024-11-15 06:00:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 131K
描述
Small Signal MOSFET −20 V, −950 mA, P−Channel SOT−563

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NTZS3151PT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.72
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.86 A
最大漏极电流 (ID)：0.86 A最大漏源导通电阻：0.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.21 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTZS3151PT1G 数据手册

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NTZS3151P  
Small Signal MOSFET  
−20 V, −950 mA, P−Channel SOT−563  
Features  
• Low R  
Improving System Efficiency  
• Low Threshold Voltage  
http://onsemi.com  
DS(on)  
V
R
Typ  
I Max  
D
• Small Footprint 1.6 x 1.6 mm  
• These are Pb−Free Devices  
(BR)DSS  
DS(on)  
120 mW @ −4.5 V  
144 mW @ −2.5 V  
−20 V  
−950 mA  
Applications  
195 mW @ −1.8 V  
• Load/Power Switches  
P−Channel MOSFET  
• Battery Management  
D
• Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, Pagers, etc.  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
J
G
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
DSS  
−20  
8.0  
V
V
S
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain Current  
(Note 1)  
T = 25°C  
−860  
−690  
170  
mA  
A
Steady  
State  
MARKING  
DIAGRAM  
I
D
T = 70°C  
A
6
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady State  
P
mW  
mA  
D
1
TX M G  
SOT−563−6  
G
CASE 463A  
Continuous Drain Current  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
−950  
−760  
210  
t v 5 s  
I
D
T = 70°C  
A
TX  
M
G
= Specific Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
Power Dissipation  
(Note 1)  
t v 5 s  
P
mW  
D
(Note: Microdot may be in either location)  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
−4.0  
A
p
DM  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
150  
°C  
J
PINOUT: SOT−563  
T
Source Current (Body Diode)  
I
−360  
mA  
S
D
D
1
2
3
6
5
D
D
Lead Temperature for Soldering Purposes  
T
260  
°C  
L
(1/8″ from case for 10 s)  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Max  
720  
600  
Unit  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient – t v 5 s (Note 1)  
°C/W  
R
q
JA  
4
S
G
R
q
JA  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in. sq. pad size  
Top View  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
(Cu. area = 1.127 in. sq. [1 oz.] including traces).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 2  
NTZS3151P/D  
12345

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NTZS3151PT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTZS3151PT5G ONSEMI

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 Small Signal MOSFET −20 V, −950 mA, P−Channel SOT−563

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