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NTZD3152PT5H

更新时间： 2024-11-15 06:00:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 98K
描述
Small Signal MOSFET −20 V, −430 mA, Dual P−Channel with ESD Protection, SOT−563

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NTZD3152PT5H 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82其他特性：ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：0.43 A最大漏源导通电阻：0.9 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：20 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

NTZD3152PT5H 数据手册

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NTZD3152P  
Small Signal MOSFET  
−20 V, −430 mA, Dual P−Channel  
with ESD Protection, SOT−563  
Features  
http://onsemi.com  
• Low R  
Improving System Efficiency  
DS(on)  
V
R
Typ  
I Max  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• Low Threshold Voltage  
• ESD Protected Gate  
0.5 W @ −4.5 V  
0.6 W @ −2.5 V  
−20 V  
−430 mA  
• Small Footprint 1.6 x 1.6 mm  
• These are Pb−Free Devices  
1.0 W @ −1.8 V  
D
D
2
1
Applications  
• Load/Power Switches  
G
G
• Power Supply Converter Circuits  
• Battery Management  
2
1
• Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, Pagers, etc.  
P−Channel  
MOSFET  
S
2
S
1
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
J
MARKING DIAGRAM  
6
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
−20  
6.0  
V
V
DSS  
1
TU M G  
SOT−563−6  
CASE 463A  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
G
1
Continuous Drain Current  
T = 25°C  
−430  
mA  
A
Steady  
State  
TU  
M
G
= Specific Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
I
D
T = 85°C  
A
−310  
(Note 1)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady State  
P
250  
mW  
mA  
D
(Note: Microdot may be in either location)  
PINOUT: SOT−563  
Continuous Drain Current  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
−455  
−328  
280  
t v 5 s  
I
D
T = 85°C  
A
S
1
2
3
6
5
D
1
1
Power Dissipation  
(Note 1)  
t v 5 s  
P
D
mW  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
−750  
mA  
p
DM  
G
G
2
1
2
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
150  
°C  
J
T
Source Current (Body Diode)  
I
S
−350  
mA  
4
S
2
D
Lead Temperature for Soldering Purposes  
T
L
260  
°C  
(1/8″ from case for 10 s)  
Top View  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
ORDERING INFORMATION  
Parameter  
Symbol  
Max  
500  
447  
Unit  
†
Device  
Package  
Shipping  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient – t v 5 s (Note 1)  
°C/W  
R
q
JA  
NTZD3152PT1G  
NTZD3152PT1H  
NTZD3152PT5G  
NTZD3152PT5H  
SOT−563  
(Pb−Free)  
4000 / Tape & Reel  
8000 / Tape & Reel  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 in. sq. pad size  
SOT−563  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
(Cu. area = 1.127 in. sq. [1 oz.] including traces).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
March, 2010 − Rev. 2  
NTZD3152P/D  
 
12345

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