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NTD110N02RG

更新时间： 2024-11-05 22:08:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 67K
描述
Power MOSFET

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NTD110N02RG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.4
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：24 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：32 A最大漏极电流 (ID)：12.5 A
最大漏源导通电阻：0.0062 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：92.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

NTD110N02RG 数据手册

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NTD110N02R  
Power MOSFET  
24 V, 110 A, N−Channel DPAK  
Features  
• Planar HD3e Process for Fast Switching Performance  
• Low R  
to Minimize Conduction Loss  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• Low C to Minimize Driver Loss  
iss  
• Low Gate Charge  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• Optimized for High Side Switching Requirements in  
High−Efficiency DC−DC Converters  
24 V  
4.1 mW @ 10 V  
110 A  
• Pb−Free Packages are Available  
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain−to−Source Voltage  
V
24  
V
V
DSS  
G
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Thermal Resistance − Junction−to−Case  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
V
±20  
GS  
R
P
1.35  
110  
°C/W  
W
q
JC  
S
C
D
Drain Current  
4
− Continuous @ T = 25°C, Chip  
I
I
110  
110  
A
A
C
D
− Continuous @ T = 25°C,  
C
D
D
D
Limited by Package  
4
− Continuous @ T = 25°C,  
I
I
32  
A
A
A
Limited by Wires  
1
2
1
− Single Pulse (t = 10 ms)  
110  
p
2
3
3
Thermal Resistance  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
P
I
52  
2.88  
17.5  
°C/W  
W
A
CASE 369D  
DPAK  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
CASE 369AA  
DPAK  
(Surface Mount)  
STYLE 2  
q
JA  
− Total Power Dissipation @ T = 25°C  
A
D
− Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
A
D
Thermal Resistance  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
R
P
100  
1.5  
°C/W  
W
q
JA  
− Total Power Dissipation @ T = 25°C  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENTS  
A
D
− Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
I
D
12.5  
A
A
Operating and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
175  
°C  
J
stg  
4
4
Drain  
Drain  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
120  
mJ  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 50 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
I = 15.5 Apk, L = 1.0 mH, R = 25 W)  
L
G
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
L
260  
°C  
Purposes, (1/8″ from case for 10 s)  
2
1
Gate  
3
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
Drain  
Source  
1
2
3
Gate Drain Source  
Y
= Year  
= Work Week  
T110N2 = Device Code  
1. When surface mounted to an FR4 board using 0.5 sq in drain pad size.  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size.  
WW  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
December, 2004 − Rev. 6  
NTD110N02R/D  
 
12345678

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NTD110N02RG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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