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NTD15N06

更新时间： 2024-11-08 22:28:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
10页 97K
描述
Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts

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NTD15N06 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 369C-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.27雪崩能效等级（Eas）：61 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.09 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD15N06 数据手册

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NTD15N06  
Power MOSFET  
15 Amps, 60 Volts  
N−Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
Typical Applications  
15 AMPERES  
60 VOLTS  
DS(on) = 76 mW (TYP)  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
R
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol Value Unit  
Drain−to−Source Voltage  
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
DGR  
G
Drain−to−Gate Voltage (R = 1.0 MW)  
V
GS  
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
S
V
V
"20  
"30  
GS  
GS  
4
− Non−repetitive (t v10 ms)  
MARKING DIAGRAMS  
p
4
Drain Current  
Drain  
2
1
I
I
15  
10  
45  
Adc  
Apk  
− Continuous @ T = 25°C  
− Continuous @ T = 100°C  
− Single Pulse (t v10 ms)  
D
D
A
3
A
I
DM  
DPAK  
CASE 369C  
(Surface Mount)  
Style 2  
p
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
P
48  
0.32  
2.1  
W
W/°C  
W
J
D
A
2
1.5  
W
1
Gate  
3
A
Drain  
4
Source  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
4
Drain  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
61  
Energy − Starting T = 25°C  
J
1
2
3
(V = 25 Vdc, V = 10 Vdc, L = 1.0 mH,  
DD  
GS  
I
= 11 A, V = 60 Vdc)  
DS  
L(pk)  
DPAK  
CASE 369D  
(Straight Lead)  
Style 2  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
°C/W  
°C  
R
R
R
3.13  
71.4  
100  
q
JC  
JA  
JA  
q
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
q
1
2
3
15N06  
Device Code  
Gate Drain Source  
Y
= Year  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
WW  
= Work Week  
1. When surface mounted to an FR4 board using 0.5 sq. in. pad size.  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
NTD15N06  
DPAK  
75 Units/Rail  
75 Units/Rail  
NTD15N06−1  
DPAK  
Straight Lead  
NTD15N06T4  
DPAK  
2500/Tape & Reel  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
September, 2003 − Rev. 1  
NTD15N06/D  
1234567...10

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NTD15N06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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