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NTD12

更新时间： 2024-11-24 03:45:51

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描述
HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS

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NTD12 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.76	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	18 V
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	20 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	12000 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

NTD12 数据手册

NTD

HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT

SILICON RECTIFIERS

DIFFUSED SILICON JUNCTIONS

PRV 8,000 TO 60,000 VOLTS

AVALANCHE CHARACTERISTICS

LOW LEAKAGE

Max. Fwd. Voltage

Peak

Avg. Fwd.Current

Length L

Fig.3

EDI Type No.

Reverse V oltage

Drop at 25 C And I _O

at 50

PRV (V olts)

(mA)

V (Volts)

NTD 08

NTD 10

NTD 12

NTD 15

NTD 20

NTD 25

NTD 30

NTD 35

NTD 40

NTD 45

NTD 50

NTD 60

8,000

10,000

12,000

15,000

20,000

25,000

30,000

35,000

40,000

45,000

50,000

60,000

300

1.00

1.25

1.50

2.00

2.50

3.00

3.75

4.00

5.00

6.25

8.00

=25 C Unless Otherwise Specified)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(at TA

C, I

Max. DC Reverse Current @ PRVand 25

100

C, I

Max. DC Reverse Current @ PRVand 100

to +125

-55

Ambient Operating Temperature Range,T

to +150

-55

Storage Temperature Range, T

STG

Amps

Max.One-Half Cycle Surge Current, I

(Surge )@ 60Hz

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