Datasheet > NTD12

NTD12

更新时间： 2024-11-09 03:45:51

品牌	Logo	应用领域
EDI		高压
页数	文件大小	规格书
2页	35K
描述
HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTD12 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.76	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	18 V
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	20 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	12000 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

NTD12 数据手册

NTD

HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT

SILICON RECTIFIERS

DIFFUSED SILICON JUNCTIONS

PRV 8,000 TO 60,000 VOLTS

AVALANCHE CHARACTERISTICS

LOW LEAKAGE

Max. Fwd. Voltage

Peak

Avg. Fwd.Current

Length L

Fig.3

EDI Type No.

Reverse V oltage

Drop at 25 C And I _O

at 50

PRV (V olts)

(mA)

V (Volts)

NTD 08

NTD 10

NTD 12

NTD 15

NTD 20

NTD 25

NTD 30

NTD 35

NTD 40

NTD 45

NTD 50

NTD 60

8,000

10,000

12,000

15,000

20,000

25,000

30,000

35,000

40,000

45,000

50,000

60,000

300

1.00

1.25

1.50

2.00

2.50

3.00

3.75

4.00

5.00

6.25

8.00

=25 C Unless Otherwise Specified)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(at TA

C, I

Max. DC Reverse Current @ PRVand 25

100

C, I

Max. DC Reverse Current @ PRVand 100

to +125

-55

Ambient Operating Temperature Range,T

to +150

-55

Storage Temperature Range, T

STG

Amps

Max.One-Half Cycle Surge Current, I

(Surge )@ 60Hz

中文翻译

下载PDF

与NTD12相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTD12N08/D	ETC	获取价格	80 V Power MOSFET
NTD12N10	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK
NTD12N10-1	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK
NTD12N10-1G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts
NTD12N10G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts
NTD12N10T4	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK
NTD12N10T4G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK
NTD14N03R	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 14 Amps, 25 Volts N−Channel DPAK
NTD14N03R_07	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 14 Amps, 25 Volts N-Channel DPAK
NTD14N03R-001	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 14 Amps, 25 Volts N-Channel DPAK