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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD15N06-1
NTD15N06-1 PDF预览

NTD15N06-1

更新时间： 2024-11-24 03:45:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
10页 97K
描述
Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts

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NTD15N06-1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.73雪崩能效等级（Eas）：61 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.09 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD15N06-1 数据手册

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NTD15N06  
Power MOSFET  
15 Amps, 60 Volts  
N−Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
Typical Applications  
15 AMPERES  
60 VOLTS  
DS(on) = 76 mW (TYP)  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
R
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol Value Unit  
Drain−to−Source Voltage  
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
DGR  
G
Drain−to−Gate Voltage (R = 1.0 MW)  
V
GS  
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
S
V
V
"20  
"30  
GS  
GS  
4
− Non−repetitive (t v10 ms)  
MARKING DIAGRAMS  
p
4
Drain Current  
Drain  
2
1
I
I
15  
10  
45  
Adc  
Apk  
− Continuous @ T = 25°C  
− Continuous @ T = 100°C  
− Single Pulse (t v10 ms)  
D
D
A
3
A
I
DM  
DPAK  
CASE 369C  
(Surface Mount)  
Style 2  
p
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
P
48  
0.32  
2.1  
W
W/°C  
W
J
D
A
2
1.5  
W
1
Gate  
3
A
Drain  
4
Source  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
4
Drain  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
61  
Energy − Starting T = 25°C  
J
1
2
3
(V = 25 Vdc, V = 10 Vdc, L = 1.0 mH,  
DD  
GS  
I
= 11 A, V = 60 Vdc)  
DS  
L(pk)  
DPAK  
CASE 369D  
(Straight Lead)  
Style 2  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
°C/W  
°C  
R
R
R
3.13  
71.4  
100  
q
JC  
JA  
JA  
q
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
q
1
2
3
15N06  
Device Code  
Gate Drain Source  
Y
= Year  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
WW  
= Work Week  
1. When surface mounted to an FR4 board using 0.5 sq. in. pad size.  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
NTD15N06  
DPAK  
75 Units/Rail  
75 Units/Rail  
NTD15N06−1  
DPAK  
Straight Lead  
NTD15N06T4  
DPAK  
2500/Tape & Reel  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
September, 2003 − Rev. 1  
NTD15N06/D  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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