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NTD15N06L-1G

更新时间： 2024-11-09 21:12:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 93K
描述
15A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3

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NTD15N06L-1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.27其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：61 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD15N06L-1G 数据手册

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NTD15N06L  
Power MOSFET  
15 Amps, 60 Volts, Logic Level  
N−Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
15 AMPERES  
60 VOLTS  
DS(on) = 85 mW (TYP)  
R
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol Value Unit  
Drain−to−Source Voltage  
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
Drain−to−Gate Voltage (R = 1.0 MW)  
V
DGR  
GS  
G
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
V
V
"15  
"20  
GS  
GS  
S
− Non−repetitive (t v10 ms)  
p
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
4
MARKING DIAGRAMS  
I
15  
10  
45  
Adc  
Apk  
A
D
4
− Continuous @ T = 100°C  
I
D
A
Drain  
− Single Pulse (t v10 ms)  
I
DM  
2
p
1
3
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
48  
0.32  
2.1  
W
W/°C  
W
J
D
Derate above 25°C  
DPAK  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
CASE 369C  
A
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
1.5  
W
Style 2  
A
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
2
1
Gate  
3
Drain  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
4
Source  
Energy − Starting T = 25°C  
61  
J
4
(V = 25 Vdc, V = 5.0 Vdc, L = 1.0 mH,  
DD  
GS  
Drain  
I
= 11 A, V = 60 Vdc)  
DS  
L(pk)  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
°C/W  
°C  
1
R
R
R
3.13  
71.4  
100  
q
JC  
JA  
JA  
2
3
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
q
DPAK  
CASE 369D  
Style 2  
q
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
1
2
3
15N06L  
Y
WW  
Device Code  
= Year  
= Work Week  
1. When surface mounted to an FR4 board using 0.5 sq. in. pad size,.  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size.  
Gate Drain Source  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
75 Units/Rail  
75 Units/Rail  
NTD15N06L  
NTD15N06L−1  
DPAK  
DPAK  
Straight Lead  
NTD15N06LT4  
DPAK  
2500/Tape & Reel  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
September, 2003 − Rev. 1  
NTD15N06L/D  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD15N06LG ONSEMI

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 		TRANSISTOR 15 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369C-01, DPA
NTD15N06LG ROCHESTER

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 		15A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
NTD15N06LT4 ONSEMI

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 		Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level
NTD15N06LT4 ROCHESTER

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 		15A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3
NTD15N06LT4G ONSEMI

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 		15A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
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