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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD15N06LT4
NTD15N06LT4 PDF预览

NTD15N06LT4

更新时间： 2024-11-23 22:41:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 97K
描述
Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level

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NTD15N06LT4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 369C-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.26其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：61 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD15N06LT4 数据手册

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NTD15N06L  
Power MOSFET  
15 Amps, 60 Volts, Logic Level  
N−Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
15 AMPERES  
60 VOLTS  
DS(on) = 85 mW (TYP)  
R
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol Value Unit  
Drain−to−Source Voltage  
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
Drain−to−Gate Voltage (R = 1.0 MW)  
V
DGR  
GS  
G
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
V
V
"15  
"20  
GS  
GS  
S
− Non−repetitive (t v10 ms)  
p
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
4
MARKING DIAGRAMS  
I
15  
10  
45  
Adc  
Apk  
A
D
4
− Continuous @ T = 100°C  
I
D
A
Drain  
− Single Pulse (t v10 ms)  
I
DM  
2
p
1
3
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
48  
0.32  
2.1  
W
W/°C  
W
J
D
Derate above 25°C  
DPAK  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
CASE 369C  
A
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
1.5  
W
Style 2  
A
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
2
1
Gate  
3
Drain  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
4
Source  
Energy − Starting T = 25°C  
61  
J
4
(V = 25 Vdc, V = 5.0 Vdc, L = 1.0 mH,  
DD  
GS  
Drain  
I
= 11 A, V = 60 Vdc)  
DS  
L(pk)  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
°C/W  
°C  
1
R
R
R
3.13  
71.4  
100  
q
JC  
JA  
JA  
2
3
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
q
DPAK  
CASE 369D  
Style 2  
q
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
1
2
3
15N06L  
Y
WW  
Device Code  
= Year  
= Work Week  
1. When surface mounted to an FR4 board using 0.5 sq. in. pad size,.  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size.  
Gate Drain Source  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
75 Units/Rail  
75 Units/Rail  
NTD15N06L  
NTD15N06L−1  
DPAK  
DPAK  
Straight Lead  
NTD15N06LT4  
DPAK  
2500/Tape & Reel  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
September, 2003 − Rev. 1  
NTD15N06L/D  
1234567...10

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NTD15N06LT4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD15N06LG ONSEMI

功能相似

 TRANSISTOR 15 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369C-01, DPA
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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-252AA

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