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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD12N10T4
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NTD12N10T4

更新时间： 2024-11-08 21:53:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 81K
描述
Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK

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NTD12N10T4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 369C, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.29雪崩能效等级（Eas）：75 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.165 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：56.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

NTD12N10T4 数据手册

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NTD12N10  
Preferred Device  
Power MOSFET  
12 Amps, 100 Volts N−Channel  
Enhancement−Mode DPAK  
Features  
http://onsemi.com  
• Pb−Free Package is Available  
• Source−to−Drain Diode Recovery Time Comparable to a  
Discrete Fast Recovery Diode  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
100 V  
165 mW @ 10 V  
12 A  
• Avalanche Energy Specified  
• I  
and R  
Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
N−Channel  
• Mounting Information Provided for the DPAK Package  
D
Typical Applications  
• PWM Motor Controls  
• Power Supplies  
• Converters  
G
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
MARKING  
DIAGRAMS  
Rating  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
DGR  
4
Drain−to−Source Voltage (R = 1.0 MW)  
V
V
100  
GS  
Drain  
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
4
DPAK  
CASE 369C  
(Surface Mounted)  
STYLE 2  
V
± 20  
± 30  
Vdc  
Vpk  
GS  
GSM  
− Non−Repetitive (t ≤ 10 ms)  
p
2
1
3
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
I
I
12  
7.0  
36  
Adc  
Apk  
A
D
D
Drain Current − Continuous @ T =100°C  
A
2
I
DM  
Drain Current − Pulsed (Note 3)  
1
Gate  
3
Drain  
Source  
Total Power Dissipation  
P
D
56.6  
0.38  
1.76  
1.28  
W
W/°C  
W
Derate above 25°C  
4
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
A
Drain  
W
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
A
4
DPAK−3  
CASE 369D  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
75  
mJ  
Energy − Starting T = 25°C  
J
1
(V = 50 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
2
3
I = 12 Apk, L = 1.0 mH, R = 25 W)  
L
G
1
2
3
Thermal Resistance  
− Junction to Case  
°C/W  
Gate Drain Source  
R
R
R
2.65  
85  
117  
q
JC  
JA  
JA  
q
q
− Junction to Ambient (Note 1)  
− Junction to Ambient (Note 2)  
T12N10  
A
Y
WW  
= Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
Maximum Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
°C  
L
= Work Week  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 0.5 sq in pad size.  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
3. Pulse Test: Pulse Width = 10 ms, Duty Cycle = 2%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
August, 2004 − Rev. 6  
NTD12N10/D  
 
12345678

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