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NTD14N03RT4

更新时间： 2024-11-09 03:45:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 62K
描述
Power MOSFET 14 Amps, 25 Volts N−Channel DPAK

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NTD14N03RT4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 369C, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.3外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.4 A最大漏极电流 (ID)：11.4 A
最大漏源导通电阻：0.13 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：20.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD14N03RT4 数据手册

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NTD14N03R  
Power MOSFET  
14 Amps, 25 Volts  
N−Channel DPAK  
Features  
http://onsemi.com  
• Planar HD3e Process for Fast Switching Performance  
• Low R  
to Minimize Conduction Loss  
DS(on)  
14 AMPERES, 25 VOLTS  
• Low C to Minimize Driver Loss  
iss  
• Low Gate Charge  
RDS(on) = 70.4 mW (Typ)  
• Optimized for High Side Switching Requirements in  
N−CHANNEL  
D
High−Efficiency DC−DC Converters  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise specified)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
25  
Vdc  
Vdc  
DSS  
G
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Thermal Resistance − Junction−to−Case  
V
±20  
GS  
S
R
P
I
I
I
6.0  
20.8  
14  
11.4  
28  
°C/W  
W
A
A
A
q
JC  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
A
D
4
Drain Current − Continuous @ T = 25°C, Chip  
A
D
− Continuous @ T = 25°C, Limited by Package  
A
D
D
4
− Single Pulse (tp ≤ 10 ms)  
Thermal Resistance − Junction−to−Ambient  
(Note 1)  
R
80  
°C/W  
q
JA  
2
1
3
2
1
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
I
1.56  
3.1  
W
A
A
D
3
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
A
D
CASE 369C  
CASE 369D  
Thermal Resistance − Junction−to−Ambient  
(Note 2)  
R
120  
°C/W  
DPAK  
(Surface Mount)  
DPAK  
(Straight Lead)  
q
JA  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
I
1.04  
2.5  
W
A
A
D
STYLE 2  
STYLE 2  
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
A
D
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENTS  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
4 Drain  
4 Drain  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
L
260  
°C  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
1. When surface mounted to an FR4 board using 0.5 sq. in pad size.  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
size.  
1
Gate  
3
2
Source  
1
3
Drain  
Gate  
Source  
2
14N03 = Device Code  
Drain  
Y
= Year  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
NTD14N03R  
DPAK  
75 Units/Rail  
DPAK  
Straight Lead  
NTD14N03R−1  
NTD14N03RT4  
75 Units/Rail  
2500 Tape & Reel  
DPAK  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
October, 2003 − Rev. 3  
NTD14N03R/D  
123456

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NTD14N03RT4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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