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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD14N03R-1G
NTD14N03R-1G PDF预览

NTD14N03R-1G

更新时间： 2024-11-24 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 81K
描述
Power MOSFET 14 Amps, 25 Volts N-Channel DPAK

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NTD14N03R-1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 369C, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.43外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.4 A最大漏极电流 (ID)：11.4 A
最大漏源导通电阻：0.13 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：20.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD14N03R-1G 数据手册

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NTD14N03R  
Power MOSFET  
14 Amps, 25 Volts  
N-Channel DPAK  
http://onsemi.com  
Features  
•ꢀPlanar HD3e Process for Fast Switching Performance  
14 AMPERES, 25 VOLTS  
•ꢀLow R  
to Minimize Conduction Loss  
DS(on)  
RDS(on) = 70.4 mW (Typ)  
•ꢀLow C to Minimize Driver Loss  
iss  
•ꢀLow Gate Charge  
•ꢀOptimized for High Side Switching Requirements in  
N-CHANNEL  
D
High-Efficiency DC-DC Converters  
•ꢀPb-Free Packages are Available  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise specified)  
J
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol Value Unit  
S
V
DSS  
25  
20  
Vdc  
Vdc  
Gate-to-Source Voltage - Continuous  
V
GS  
4
Thermal Resistance - Junction-to-Case  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
R
P
I
I
I
6.0  
20.8  
14  
11.4  
28  
°C/W  
W
A
A
A
q
JC  
4
A
D
Drain Current - Continuous @ T = 25°C, Chip  
A
D
- Continuous @ T = 25°C, Limited by Package  
A
D
2
1
- Single Pulse (tp ≤ 10 ms)  
1
D
3
2
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1)  
R
80  
°C/W  
q
JA  
3
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
I
1.56  
3.1  
W
A
CASE 369C  
DPAK  
CASE 369D  
DPAK-3  
A
D
Drain Current - Continuous @ T = 25°C  
A
D
(Surface Mount)  
STYLE 2  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 2)  
R
q
JA  
120  
°C/W  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
I
D
1.04  
2.5  
W
A
A
D
Drain Current - Continuous @ T = 25°C  
A
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
-55 to  
150  
°C  
°C  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENTS  
stg  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
4 Drain  
4 Drain  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 0.5 sq. in pad size.  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
size.  
1
Gate  
3
Source  
2
Drain  
1
Gate  
3
Source  
2
Drain  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
14N03 = Device Code  
= Pb-Free Package  
G
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
©ꢀ Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
October, 2007 - Rev. 5  
1
Publication Order Number:  
NTD14N03R/D  
 
123456

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NTD14N03R-1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD14N03RG ONSEMI

完全替代

 Power MOSFET 14 Amps, 25 Volts N-Channel DPAK
NTD14N03R-001 ONSEMI

完全替代

 Power MOSFET 14 Amps, 25 Volts N-Channel DPAK

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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