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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD12N10-1G
NTD12N10-1G PDF预览

NTD12N10-1G

更新时间： 2024-11-24 12:04:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 148K
描述
Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts

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NTD12N10-1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.66
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：75 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.165 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：56.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD12N10-1G 数据手册

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NTD12N10  
Power MOSFET  
12 Amps, 100 Volts  
N−Channel Enhancement−Mode DPAK  
http://onsemi.com  
Features  
• Source−to−DrainDiode Recovery Time Comparable to a Discrete  
Fast Recovery Diode  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
100 V  
165 mW @ 10 V  
12 A  
• Avalanche Energy Specified  
• I  
and R  
Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
N−Channel  
• Mounting Information Provided for the DPAK Package  
• These are Pb−Free Devices  
D
Typical Applications  
G
• PWM Motor Controls  
• Power Supplies  
• Converters  
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Rating  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
DGR  
4
Drain−to−Source Voltage (R = 1.0 MW)  
V
V
100  
Drain  
GS  
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
4
DPAK  
V
20  
30  
Vdc  
Vpk  
GS  
CASE 369C  
(Surface Mount)  
STYLE 2  
− Non−Repetitive (t ≤ 10 ms)  
p
GSM  
2
1
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
I
D
DM  
12  
7.0  
36  
Adc  
Apk  
A
D
3
− Continuous @ T =100°C  
I
A
2
− Pulsed (Note 3)  
I
1
Gate  
3
Drain  
Source  
Total Power Dissipation  
P
D
56.6  
0.38  
1.76  
1.28  
W
W/°C  
W
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
4
A
A
W
Drain  
4
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
°C  
J
stg  
DPAK  
CASE 369D  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
+175  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
75  
mJ  
Energy − Starting T = 25°C  
J
1
(V = 50 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
2
I = 12 Apk, L = 1.0 mH, R = 25 W)  
3
L
G
Thermal Resistance  
°C/W  
°C  
1
2
3
− Junction to Case  
R
R
R
2.65  
85  
q
JC  
JA  
JA  
Gate Drain Source  
− Junction to Ambient (Note 1)  
− Junction to Ambient (Note 2)  
q
q
117  
Y
WW  
T12N10  
G
= Year  
Maximum Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8 in from case for 10 seconds  
T
260  
= Work Week  
= Device Code  
= Pb−Free Package  
L
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 0.5 sq in pad size.  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
3. Pulse Test: Pulse Width = 10 ms, Duty Cycle = 2%.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
May, 2010 − Rev. 8  
NTD12N10/D  
 
12345678

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