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NTB35N15T4G

更新时间： 2024-01-29 14:51:13
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 86K
描述
N−Channel Enhancement−Mode D2PAK

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NTB35N15T4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：0.67雪崩能效等级（Eas）：700 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：37 A
最大漏极电流 (ID)：37 A最大漏源导通电阻：0.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：178 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：111 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB35N15T4G 数据手册

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NTB35N15  
Power MOSFET  
37 Amps, 150 Volts  
N−Channel Enhancement−Mode D2PAK  
http://onsemi.com  
Features  
• Source−to−DrainDiode Recovery Time Comparable to a Discrete  
Fast Recovery Diode  
• Avalanche Energy Specified  
37 AMPERES, 150 VOLTS  
50 mꢀ @ VGS = 10 V  
• I  
and R  
Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
N−Channel  
2
• Mounting Information Provided for the D PAK Package  
• Pb−Free Packages are Available  
D
Typical Applications  
• PWM Motor Controls  
• Power Supplies  
• Converters  
G
S
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
150  
150  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
4
DSS  
DGR  
Drain  
Drain−to−Source Voltage (R = 1.0 Mꢀ)  
V
V
GS  
4
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
1
2
V
"20  
"40  
35N15G  
AYWW  
GS  
− Non−Repetitive (t v10 ms)  
p
3
GSM  
2
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
I
I
37  
23  
111  
Adc  
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 2  
A
D
− Continuous @ T = 100°C  
A
D
− Pulsed (Note 2)  
1
2
3
I
DM  
Gate Drain Source  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
178  
1.43  
2.0  
W
W/°C  
W
A
D
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
A
35N15  
A
Y
= Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to  
+150  
°C  
stg  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
700  
mJ  
AS  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 100 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
I
= 21.6 A, L = 3.0 mH, R = 25 ꢀ)  
L(pk)  
G
ORDERING INFORMATION  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
°C/W  
†
Device  
Package  
Shipping  
R
R
R
0.7  
62.5  
50  
ꢁ
JC  
JA  
JA  
− Junction−to−Ambient  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
ꢁ
ꢁ
2
NTB35N15  
D PAK  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
2
NTB35N15G  
D PAK  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8 in from case for 10 seconds  
T
260  
°C  
L
(Pb−Free)  
2
NTB35N15T4  
D PAK  
800 Tape & Reel  
800 Tape & Reel  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
2
NTB35N15T4G  
D PAK  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
1. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
2
pad size, (Cu. Area 0.412 in ).  
2. Pulse Test: Pulse Width = 10 ꢂ s, Duty Cycle = 2%.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 5  
NTB35N15/D  
 
12345678

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NTB35N15T4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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