5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NTB10N60T4
NTB10N60T4 PDF预览

NTB10N60T4

更新时间： 2024-11-02 15:46:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 67K
描述
10A, 600V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTB10N60T4 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.36Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.75 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：201 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：35 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB10N60T4 数据手册

 浏览型号NTB10N60T4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTB10N60T4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTB10N60T4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTB10N60T4的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTB10N60T4的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTB10N60T4的Datasheet PDF文件第7页 
NTP10N60, NTB10N60  
Preferred Devices  
Advance Information  
Power MOSFET  
10 Amps, 600 Volts  
N–Channel TO–220 and D2PAK  
http://onsemi.com  
Designed for high voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters, power motor controls and bridge circuits.  
10 AMPERES  
600 VOLTS  
RDS(on) = 0.75 Ω  
Features  
• Higher Current Rating  
• Lower R  
• Lower Capacitances  
DS(on)  
• Lower Total Gate Charge  
N–Channel  
D
• Tighter V Specifications  
SD  
• Avalanche Energy Specified  
Typical Applications  
• Switch Mode Power Supplies  
• PWM Motor Controls  
• Converters  
G
4
S
• Bridge Circuits  
4
1
2
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
3
Rating  
Symbol  
Value  
600  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
2
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 2  
TO–220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
Drain–Source Voltage  
V
DSS  
DGR  
Drain–Gate Voltage (R = 1.0 MΩ)  
V
600  
GS  
1
2
Gate–Source Voltage  
– Continuous  
3
MARKING DIAGRAMS  
AND PIN ASSIGNMENTS  
V
GS  
"20  
"40  
– Non–Repetitive (t v10 ms)  
V
GSM  
p
Drain  
Drain  
Drain– Continuous  
I
I
10  
8.0  
35  
Adc  
D
– Continuous @ 100°C  
– Single Pulse (t v10 µs)  
D
I
DM  
p
NTB10N60  
LLYWW  
Total Power Dissipation  
Derate above 25°C  
P
201  
1.61  
Watts  
W/°C  
D
NTP10N60  
LLYWW  
Operating and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
–55 to  
+150  
°C  
stg  
Drain  
Gate  
Source  
Gate  
Source  
Single Drain–to–Source Avalanche  
E
AS  
500  
mJ  
Energy – Starting T = 25°C  
J
NTx10N60 = Device Code  
(V = 100 V, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
Drain  
LL  
= Location Code  
= Year  
I = 10 A, L = 10 mH, R = 25 Ω)  
L
G
Y
WW  
= Work Week  
Thermal Resistance  
°C/W  
°C  
– Junction–to–Case  
– Junction–to–Ambient  
– Junction–to–Ambient (Note 1.)  
R
R
R
0.62  
62.5  
50  
θ
JC  
JA  
JA  
θ
θ
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
Maximum Lead Temperature for  
Soldering Purposes, 1/8″ from case  
for 10 seconds  
T
260  
L
NTP10N60  
NTB10N60  
NTB10N60T4  
TO–220AB  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
2
D PAK  
1. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size.  
2
D PAK  
800/Tape & Reel  
This document contains information on a new product. Specifications and information  
herein are subject to change without notice.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
November, 2000 – Rev. 1  
NTP10N60/D  
12345678

中文翻译

下载PDF

与NTB10N60T4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTB110N65S3HF ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，FRFET®，650 V，30
NTB125N02R ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK
NTB125N02R_06 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK
NTB125N02RG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK
NTB125N02RT4 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK
NTB125N02RT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK
NTB12N50 ONSEMI

获取价格

 		12A, 500V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
NTB12N50 ROCHESTER

获取价格

 		12A, 500V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
NTB12N50/D ETC

获取价格

 		TMOS 7 E-FET? Power Field Effect Transistor
NTB12N50T4 ONSEMI

获取价格

 		12A, 500V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3

与NTB10N60T4相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证