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NTB18N06

更新时间： 2024-11-02 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 86K
描述
Power MOSFET 15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK

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NTB18N06 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.17雪崩能效等级（Eas）：61 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.09 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：48.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB18N06 数据手册

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NTP18N06, NTB18N06  
Power MOSFET  
15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
N−Channel  
http://onsemi.com  
Typical Applications  
• Power Supplies  
D
V
R
DS(on)  
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
• Converters  
60 V  
90 mW @ 10 V  
15 A  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
G
• Pb−Free Packages are Available  
S
4
4
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol Value Unit  
1
2
3
Drain−to−Source Voltage  
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
DGR  
2
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 mW)  
V
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
D PAK  
CASE 418AA  
STYLE 2  
GS  
1
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
V
GS  
2
ꢁ 20  
ꢁ 30  
3
− Non−Repetitive (t  
ꢀ
10 ms)  
p
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
I
I
15  
8.0  
45  
Adc  
Adc  
A
pk  
C
D
D
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
− Continuous @ T = 100°C  
C
− Single Pulse (t ꢀ 10 ms)  
I
p
DM  
4
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
48.4  
0.32  
W
W/°C  
C
D
Drain  
4
Drain  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
NTx  
18N06G  
AYWW  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
61  
mJ  
AS  
Energy − Starting T = 25°C  
J
NTx18N06G  
AYWW  
(V = 25 Vdc, V = 10 Vdc, V = 60 Vdc,  
DD  
GS  
DS  
I
= 11 A, L = 1.0 mH, R = 25 W)  
G
L(pk)  
1
Gate  
3
1
2
3
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
°C/W  
°C  
Source  
Gate Drain Source  
R
R
3.1  
72.5  
q
JC  
− Junction−to−Ambient  
q
JA  
2
Drain  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
260  
L
Purposes, (1/8″ from case for 10 s)  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
NTx18N06 = Device Code  
x
= B or P  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 4  
NTP18N06/D  
12345678

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NTB18N06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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