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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB18N06LG
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NTB18N06LG

更新时间： 2024-11-02 12:27:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 91K
描述
Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level

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NTB18N06LG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.17其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：61 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：48.4 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTB18N06LG 数据手册

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NTP18N06L, NTB18N06L  
Power MOSFET  
15 Amps, 60 Volts,  
Logic Level  
N−Channel TO−220 and D2PAK  
http://onsemi.com  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
15 AMPERES, 60 VOLTS  
RDS(on) = 100 mW  
Features  
N−Channel  
• Pb−Free Packages are Available  
D
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
G
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
4
J
Rating  
Symbol Value Unit  
4
Drain−to−Source Voltage  
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
DGR  
1
2
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 mW)  
V
GS  
3
2
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
V
GS  
D PAK  
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
"10  
"20  
CASE 418AA  
STYLE 2  
− Non−Repetitive (t v 10 ms)  
p
1
2
Drain Current  
3
− Continuous @ T = 25°C  
I
I
15  
8.0  
45  
Adc  
Adc  
A
pk  
C
D
D
− Continuous @ T = 100°C  
C
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
− Single Pulse (t v 10 ms)  
I
p
DM  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
48.4  
0.32  
W
W/°C  
4
C
D
Drain  
4
Drain  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
NTx  
18N06LG  
AYWW  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
61  
mJ  
AS  
Energy − Starting T = 25°C  
J
NTx18N06LG  
AYWW  
(V = 25 Vdc, V = 5.0 Vdc, V = 60 Vdc,  
DD  
GS  
DS  
I
= 11 A, L = 1.0 mH, R = 25 W)  
G
L(pk)  
1
Gate  
3
2
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
°C/W  
°C  
Source  
Drain  
R
R
3.1  
72.5  
1
Gate  
3
q
JC  
− Junction−to−Ambient  
Source  
q
JA  
2
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
260  
Drain  
L
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
NTx18N06L = Device Code  
x
A
Y
WW  
G
= B or P  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 4  
NTP18N06L/D  
12345678

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NTB18N06LG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB25P06G ONSEMI

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 		Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level (N−Channel TO−220 and DPAK)
NTB18N06T4 ONSEMI

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NTB190N65S3HF ONSEMI

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