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NTB23N03R

更新时间： 2024-02-05 06:38:41
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 64K
描述
Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK

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NTB23N03R 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.8外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：23 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：37.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTB23N03R 数据手册

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NTB23N03R  
Power MOSFET  
23 Amps, 25 Volts  
N−Channel D2PAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
Features  
23 AMPERES, 25 VOLTS  
• Pb−Free Packages are Available  
RDS(on) = 32 mW (Typ)  
Typical Applications  
N−CHANNEL  
D
• Planar HD3e Process for Fast Switching Performance  
• Low R  
to Minimize Conduction Loss  
DS(on)  
• Low C to Minimize Driver Loss  
iss  
• Low Gate Charge  
• Optimized for High Side Switching Requirements in  
High−Efficiency DC−DC Converters  
G
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise specified)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENTS  
V
25  
20  
Vdc  
Vdc  
A
DSS  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Drain Current  
V
GS  
4 Drain  
4
− Continuous @ T = 25°C, Limited by Chip  
I
I
23  
6.0  
60  
A
D
D
− Continuous @ T = 25°C, Limited by Package  
A
T23  
N03G  
AYWW  
2
1
− Single Pulse (t = 10 ms)  
I
p
DM  
3
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
37.5  
W
A
D
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
2
1
Gate  
3
J
stg  
D PAK  
2
Source  
CASE 418B  
STYLE 2  
Drain  
Thermal Resistance − Junction−to−Case  
R
q
JC  
3.3  
°C/W  
°C  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
T23N03 = Specific Device Code  
A
Y
WW  
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 2  
NTB23N03R/D  
123456

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