5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB18N06T4
NTB18N06T4 PDF预览

NTB18N06T4

更新时间： 2024-02-11 10:44:44
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 86K
描述
Power MOSFET 15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTB18N06T4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.19雪崩能效等级（Eas）：61 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.09 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB18N06T4 数据手册

 浏览型号NTB18N06T4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTB18N06T4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTB18N06T4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTB18N06T4的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTB18N06T4的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTB18N06T4的Datasheet PDF文件第7页 
NTP18N06, NTB18N06  
Power MOSFET  
15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
N−Channel  
http://onsemi.com  
Typical Applications  
• Power Supplies  
D
V
R
DS(on)  
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
• Converters  
60 V  
90 mW @ 10 V  
15 A  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
G
• Pb−Free Packages are Available  
S
4
4
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol Value Unit  
1
2
3
Drain−to−Source Voltage  
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
DGR  
2
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 mW)  
V
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
D PAK  
CASE 418AA  
STYLE 2  
GS  
1
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
V
GS  
2
ꢁ 20  
ꢁ 30  
3
− Non−Repetitive (t  
ꢀ
10 ms)  
p
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
I
I
15  
8.0  
45  
Adc  
Adc  
A
pk  
C
D
D
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
− Continuous @ T = 100°C  
C
− Single Pulse (t ꢀ 10 ms)  
I
p
DM  
4
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
48.4  
0.32  
W
W/°C  
C
D
Drain  
4
Drain  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
NTx  
18N06G  
AYWW  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
61  
mJ  
AS  
Energy − Starting T = 25°C  
J
NTx18N06G  
AYWW  
(V = 25 Vdc, V = 10 Vdc, V = 60 Vdc,  
DD  
GS  
DS  
I
= 11 A, L = 1.0 mH, R = 25 W)  
G
L(pk)  
1
Gate  
3
1
2
3
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
°C/W  
°C  
Source  
Gate Drain Source  
R
R
3.1  
72.5  
q
JC  
− Junction−to−Ambient  
q
JA  
2
Drain  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
260  
L
Purposes, (1/8″ from case for 10 s)  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
NTx18N06 = Device Code  
x
= B or P  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 4  
NTP18N06/D  
12345678

中文翻译

下载PDF

NTB18N06T4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB5605T4G ONSEMI

类似代替

 18.5A, 60V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
NTB18N06 ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK
NTB25P06T4G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK

与NTB18N06T4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTB18N06T4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK
NTB190N65S3HF ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，FRFET®，650 V，20
NTB22N06 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
NTB22N06L ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
NTB22N06LT4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
NTB22N06T4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
NTB23N03R ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK
NTB23N03RG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK
NTB23N03RT4 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK
NTB23N03RT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK

与NTB18N06T4相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证