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NTB22N06

更新时间： 2024-02-27 02:52:17
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 77K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB

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NTB22N06 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：CASE 418B-03, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.21Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：72 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：66 A认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTB22N06 数据手册

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NTP22N06, NTB22N06  
Power MOSFET  
22 Amps, 60 Volts  
N–Channel TO–220 and D2PAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
22 AMPERES  
60 VOLTS  
RDS(on) = 60 mΩ  
N–Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol Value Unit  
Drain–to–Source Voltage  
V
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
Drain–to–Gate Voltage (R = 10 MΩ)  
G
GS  
DGR  
Gate–to–Source Voltage  
– Continuous  
4
V
V
"20  
"30  
GS  
GS  
S
– Non–Repetitive (t v10 ms)  
p
4
Drain Current  
1
2
– Continuous @ T = 25°C  
I
22  
10  
66  
Adc  
Apk  
A
D
– Continuous @ T = 100°C  
I
D
3
A
– Single Pulse (t v10 µs)  
I
DM  
p
2
D PAK  
TO–220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
60  
0.4  
W
W/°C  
A
D
CASE 418B  
STYLE 2  
Derate above 25°C  
1
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to  
+175  
°C  
2
J
stg  
3
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche  
E
AS  
72  
mJ  
Energy – Starting T = 25°C  
J
4
(V = 50 Vdc, V = 10 Vdc, L = 1.0 mH,  
DD  
GS  
4
Drain  
V
= 60 Vdc, I  
= 12 A, RG = 25 Ω)  
L(pk)  
DS  
Drain  
Thermal Resistance  
– Junction–to–Case  
°C/W  
°C  
R
R
2.5  
62.5  
θ
JC  
JA  
– Junction–to–Ambient  
θ
NTx22N06  
LLYWW  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
260  
L
NTx22N06  
LLYWW  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
1
Gate  
3
2
1
Gate  
3
Source  
Drain  
Source  
NTx22N06 = Device Code  
2
x
= P or B  
Drain  
LL  
Y
= Location Code  
= Year  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
NTP22N06  
NTB22N06  
NTB22N06T4  
TO–220AB  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
2
D PAK  
2
D PAK  
800/Tape & Reel  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
August, 2001 – Rev. 1  
NTP22N06/D  
12345678

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与NTB22N06相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTB22N06L ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
NTB22N06LT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
NTB22N06T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
NTB23N03R ONSEMI

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 		Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK
NTB23N03RG ONSEMI

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 		Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK
NTB23N03RT4 ONSEMI

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 		Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK
NTB23N03RT4G ONSEMI

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 		Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK
NTB25P06 ONSEMI

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 		Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK
NTB25P06G ONSEMI

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 		Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK
NTB25P06T4 ONSEMI

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 		Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK

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