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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB18N06LT4G
NTB18N06LT4G PDF预览

NTB18N06LT4G

更新时间： 2024-02-27 02:02:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 95K
描述
Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level (N−Channel TO−220 and DPAK)

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NTB18N06LT4G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.25Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：61 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB18N06LT4G 数据手册

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NTP18N06L, NTB18N06L  
Power MOSFET  
15 Amps, 60 Volts,  
Logic Level  
N−Channel TO−220 and D2PAK  
http://onsemi.com  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
15 AMPERES  
60 VOLTS  
RDS(on) = 100 mW  
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol Value Unit  
G
Drain−to−Source Voltage  
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
DGR  
S
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 mW)  
V
GS  
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
V
GS  
4
"10  
"20  
− Non−Repetitive (t v 10 ms)  
p
4
Drain Current  
1
2
− Continuous @ T = 25°C  
− Continuous @ T = 100°C  
− Single Pulse (t v 10 ms)  
I
I
15  
8.0  
45  
Adc  
Adc  
A
pk  
C
D
D
3
C
I
p
DM  
2
D PAK  
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
CASE 418AA  
STYLE 2  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
48.4 Watts  
0.32  
C
D
W/°C  
1
2
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
3
J
stg  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
61  
mJ  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 25 Vdc, V = 5.0 Vdc, V = 60 Vdc,  
DD  
GS  
DS  
I
= 11 A, L = 1.0 mH, R = 25 W)  
G
L(pk)  
4
4
Drain  
Drain  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
°C/W  
°C  
R
R
3.1  
72.5  
q
JC  
JA  
− Junction−to−Ambient  
q
NTx18N06L  
LLYWW  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
NTx18N06L  
LLYWW  
1
2
3
1
3
Gate Drain Source  
Gate  
Source  
NTx18N06L = Device Code  
2
x
= B or P  
Drain  
LL  
Y
= Location Code  
= Year  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 10 of this data sheet.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
October, 2003 − Rev. 3  
NTP18N06L/D  
1234567...12

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NTB18N06LT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB30N06LT4G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts
NTB25P06G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK
NTB25P06 ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK

与NTB18N06LT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTB18N06T4 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK
NTB18N06T4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK
NTB190N65S3HF ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，FRFET®，650 V，20
NTB22N06 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
NTB22N06L ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
NTB22N06LT4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
NTB22N06T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
NTB23N03R ONSEMI

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 		Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK
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