是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.32 | 雪崩能效等级(Eas): | 85 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 13 A |
最大漏源导通电阻: | 0.165 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 39 A | 认证状态: | COMMERCIAL |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTB150N65S3HF | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® III,FRFET®,650 V,24 | |
NTB15N40 | ONSEMI |
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15A, 400V, 0.26ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3 | |
NTB15N40T4 | ONSEMI |
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15A, 400V, 0.26ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3 | |
NTB18N06 | ONSEMI |
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Power MOSFET 15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK | |
NTB18N06G | ONSEMI |
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Power MOSFET 15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK | |
NTB18N06L | ONSEMI |
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Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level (N−Channel TO−220 and DPAK) | |
NTB18N06LG | ONSEMI |
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Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level | |
NTB18N06LT4 | ONSEMI |
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Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level (N−Channel TO−220 and DPAK) | |
NTB18N06LT4G | ONSEMI |
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Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level (N−Channel TO−220 and DPAK) | |
NTB18N06T4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK |