5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB125N02R
NTB125N02R PDF预览

NTB125N02R

更新时间： 2024-01-15 05:10:28
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 72K
描述
Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTB125N02R 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.43Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：125 A最大漏极电流 (ID)：95 A
最大漏源导通电阻：0.0062 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：113.6 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：250 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTB125N02R 数据手册

 浏览型号NTB125N02R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTB125N02R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTB125N02R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTB125N02R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTB125N02R的Datasheet PDF文件第6页 
NTB125N02R, NTP125N02R  
Power MOSFET  
125 A, 24 V N−Channel  
TO−220, D2PAK  
Features  
http://onsemi.com  
• Planar HD3e Process for Fast Switching Performance  
• Body Diode for Low t and Q and Optimized for Synchronous  
rr  
rr  
Operation  
125 AMPERES, 24 VOLTS  
• Low C to Minimize Driver Loss  
iss  
RDS(on) = 3.7 mW (Typ)  
• Optimized Q and R  
for Shoot−through Protection  
gd  
DS(on)  
• Low Gate Charge  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
G
V
DSS  
24  
V
dc  
V
dc  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
GS  
±20  
S
Thermal Resistance − Junction−to−Case  
R
P
1.1  
113.6  
°C/W  
W
q
JC  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
C
D
MARKING  
Drain Current −  
Continuous @ T = 25°C, Chip  
I
125  
120.5  
95  
A
A
A
A
DIAGRAMS  
C
D
Continuous @ T = 25°C, Limited by Package  
I
I
I
C
D
D
D
Continuous @ T = 25°C, Limited by Wires  
A
Single Pulse (t = 10 ms)  
250  
p
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
4
125N2R  
YWW  
Thermal Resistance −  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
46  
2.72  
18.6  
°C/W  
W
A
q
JA  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
A
D
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
I
D
A
Thermal Resistance −  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
R
P
I
63  
1.98  
15.9  
°C/W  
W
A
q
JA  
1
2
A
D
3
A
D
Operating and Storage Temperature Range  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
2
125N2  
D PAK  
4
E
AS  
120  
mJ  
CASE 418AA  
STYLE 2  
YWW  
Energy − Starting T = 25°C  
J
2
(V = 50 V , V = 10 V , I = 15.5 A ,  
DD  
dc  
GS  
dc  
L
pk  
1
L = 1 mH, R = 25 W)  
3
G
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
L
260  
°C  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
125N2 = Specific Device Code  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1 inch pad size,  
2
(Cu Area 1.127 in ).  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
2
size, (Cu Area 0.412 in ).  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
PIN ASSIGNMENT  
2
NTB125N02R  
D PAK  
50 Units/Rail  
PIN  
1
FUNCTION  
Gate  
2
NTB125N02RT4  
D PAK  
800/Tape & Reel  
NTP125N02R  
TO−220AB  
50 Units/Rail  
2
Drain  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
3
Source  
Drain  
4
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
October, 2003 − Rev. 4  
NTB125N02R/D  
 
123456

中文翻译

下载PDF

NTB125N02R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB125N02RG ONSEMI

完全替代

 Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK
NTB125N02RT4 ONSEMI

完全替代

 Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK
NTB125N02RT4G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK

与NTB125N02R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTB125N02R_06 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK
NTB125N02RG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK
NTB125N02RT4 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK
NTB125N02RT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK
NTB12N50 ONSEMI

获取价格

 		12A, 500V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
NTB12N50 ROCHESTER

获取价格

 		12A, 500V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
NTB12N50/D ETC

获取价格

 		TMOS 7 E-FET? Power Field Effect Transistor
NTB12N50T4 ONSEMI

获取价格

 		12A, 500V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
NTB12N50T4 ROCHESTER

获取价格

 		12A, 500V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
NTB13N10 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 100 V, 13 A, N−Channel Enhancement−Mode D2PAK

与NTB125N02R相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证