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NSVT1602SLT4G

更新时间： 2024-01-26 11:34:41
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 93K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

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NSVT1602SLT4G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.74外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1.5 A基于收集器的最大容量：12 pF
集电极-发射极最大电压：180 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：1.2 W最大功率耗散 (Abs)：18 W
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：130 MHz
VCEsat-Max：0.14 VBase Number Matches：1

NSVT1602SLT4G 数据手册

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NSVT1602SL  
Product Preview  
Bipolar Transistor  
160 V, 2 A, Low VCE(sat) NPN Single DPAK  
This device is bipolar junction transistor featuring high current, low  
saturation voltage, and high speed switching.  
Suitable for automotive applications. AEC−Q101 qualified and  
PPAP capable.  
www.onsemi.com  
4
Features  
2
1
• Complement to NSVT1601SL  
• Large Current Capacitance  
• Low Collector to Emitter Saturation Voltage  
• High−Speed Switching  
3
DPAK  
CASE 369C  
ELECTRICAL CONNECTION  
• High Allowable Power Dissipation  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
Typical Applications  
• Load Switch  
• Gate Driver Buffer  
• DC−DC Converters  
MARKING DIAGRAM  
Specifications  
AYWW  
NVT  
1602G  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING at Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
180  
A
Y
WW  
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
160  
V
6
V
= Pb−Free Package  
I
C
2
A
Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation (Note 1)  
I
4
A
CP  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
P
1
15  
W
C
PC (Tc = 25°C)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
175  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +175  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Surface mounted on FR board  
This document contains information on a product under development. ON Semiconductor  
reserves the right to change or discontinue this product without notice.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2019  
1
Publication Order Number:  
June, 2019 − Rev. P0  
NSVT1602SL/D  
 
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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