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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NSVTB60BDW1T1G
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NSVTB60BDW1T1G

更新时间： 2024-11-05 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 110K
描述
PNP General Purpose and NPN Bias Resistor Transistor Combination

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NSVTB60BDW1T1G 数据手册

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NSTB60BDW1T1G  
PNP General Purpose and  
NPN Bias Resistor  
Transistor Combination  
• Simplifies Circuit Design  
http://onsemi.com  
• Reduces Board Space  
• Reduces Component Count  
• Available in 8 mm, 7 inch/3000 Unit Tape and Reel  
• ESD Rating − Human Body Model: Class 1B  
ESD Rating − Machine Model: Class B  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
(3)  
Q
(2)  
(1)  
2
Q
1
R
2
R
1
MAXIMUM RATINGS  
(T = 25°C unless otherwise noted, common for Q and Q )  
A
(4)  
(5)  
(6)  
1
2
Rating  
Symbol  
Q
Q
Unit  
Vdc  
1
2
4
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
−50  
−50  
50  
50  
5
6
Vdc  
3
2
−6.0  
5.0  
150  
Vdc  
1
Collector Current − Continuous  
I
C
−150  
mAdc  
SOT−363  
CASE 419B  
STYLE 1  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
MARKING DIAGRAM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
6
(One Junction Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
71 M G  
Total Device Dissipation  
T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
187 (Note 1)  
256 (Note 2)  
1.5 (Note 1)  
2.0 (Note 2)  
mW  
G
A
mW/°C  
°C/W  
1
71 = Device Code  
Thermal Resistance −  
Junction-to-Ambient  
R
670 (Note 1)  
490 (Note 2)  
θ
JA  
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
Total Device Dissipation  
P
D
250 (Note 1)  
385 (Note 2)  
2.0 (Note 1)  
3.0 (Note 2)  
mW  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
°C/W  
°C  
ORDERING INFORMATION  
Thermal Resistance −  
Junction-to-Ambient  
R
493 (Note 1)  
325 (Note 2)  
†
θ
JA  
Device  
Package  
Shipping  
NSTB60BDW1T1G SOT−363 3000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Thermal Resistance −  
Junction-to-Lead  
R
188 (Note 1)  
208 (Note 2)  
θ
JL  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Junction and Storage Temperature T , T  
−55 to +150  
J
stg  
1. FR−4 @ Minimum Pad  
2. FR−4 @ 1.0 x 1.0 inch Pad  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
April, 2010 − Rev. 3  
NSTB60BDW1T1/D  
 
12345

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