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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NSVUMZ1NT1G
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NSVUMZ1NT1G

更新时间： 2023-06-19 14:32:09
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器光电二极管小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 69K
描述
NPN PNP 双极晶体管

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NSVUMZ1NT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.68最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.256 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：114 MHzBase Number Matches：1

NSVUMZ1NT1G 数据手册

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UMZ1NT1  
Complementary Dual  
General Purpose  
Amplifier Transistor  
PNP and NPN Surface Mount  
http://onsemi.com  
Features  
• High Voltage and High Current: V  
= 50 V, I = 200 mA  
C
CEO  
(6)  
(5)  
(4)  
Q
• High h : h = 200X400  
FE FE  
• Moisture Sensitivity Level: 1  
Q
1
2
• ESD Rating − Human Body Model: 3A  
ESD Rating − Machine Model: C  
• Pb−Free Package is Available  
(1)  
(2)  
(3)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Collector−Base Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
V
60  
50  
(BR)CBO  
(BR)CEO  
1
V
Vdc  
SC−88  
CASE 419B  
V
7.0  
200  
Vdc  
(BR)EBO  
Collector Current − Continuous  
I
C
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
MARKING DIAGRAM  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
P
D
187 (Note 1)  
256 (Note 2)  
1.5 (Note 1) mW/°C  
2.0 (Note 2)  
mW  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
3Z M G  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
670 (Note 1)  
490 (Note 2)  
°C/W  
q
JA  
G
1
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
P
D
250 (Note 1)  
385 (Note 2)  
2.0 (Note 1) mW/°C  
3.0 (Note 2)  
mW  
T = 25°C  
A
3Z = Device Code  
Derate above 25°C  
M
= Date Code  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Lead  
Junction and Storage Temperature  
R
493 (Note 1)  
325 (Note 2)  
°C/W  
°C/W  
°C  
q
JA  
R
188 (Note 1)  
208 (Note 2)  
q
JL  
ORDERING INFORMATION  
†
Device*  
UMZ1NT1  
UMZ1NT1G  
Package  
Shipping  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−4 @ Minimum Pad  
SC−88  
3000 / Tape & Reel  
3000 / Tape & Reel  
SC−88  
(Pb−Free)  
*The “T1” suffix refers to a 7 inch reel.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
2. FR−4 @ 1.0 x 1.0 inch Pad  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
Publication Order Number:  
May, 2006 − Rev. 5  
UMZ1NT1/D  
 
12345

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