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NSVT3946DP6T5G

更新时间： 2024-02-05 05:57:22
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 104K
描述
NPN PNP 双极晶体管

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NSVT3946DP6T5G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 527AD-01, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.5最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN AND PNP认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：325 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

NSVT3946DP6T5G 数据手册

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NST3946DP6T5G  
Dual Complementary  
General Purpose Transistor  
The NST3946DP6T5G device is a spin−off of our popular  
SOT−23/SOT−323/SOT−563 three−leaded device. It is designed for  
general purpose amplifier applications and is housed in the SOT−963  
six−leaded surface mount package. By putting two discrete devices in  
one package, this device is ideal for low−power surface mount  
applications where board space is at a premium.  
http://onsemi.com  
Features  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
• h , 100−300  
FE  
• Low V  
, ≤ 0.4 V  
CE(sat)  
Q
1
2
• Simplifies Circuit Design  
• Reduces Board Space  
• Reduces Component Count  
• This is a Pb−Free Device  
(4)  
(5)  
(6)  
NST3946DP6T5G*  
MAXIMUM RATINGS  
*Q1 PNP  
Q2 NPN  
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current − Continuous  
Electrostatic Discharge  
V
CEO  
V
CBO  
60  
Vdc  
4
5
6
V
EBO  
6.0  
Vdc  
I
C
200  
mAdc  
3
2
1
HBM  
MM  
ESD  
Class  
2
B
SOT−963  
CASE 527AD  
PLASTIC  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic (Single Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation T = 25°C  
P
D
240  
1.9  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C (Note 1)  
MARKING DIAGRAM  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1)  
R
520  
°C/W  
q
JA  
L
M G  
Total Device Dissipation T = 25°C  
P
280  
2.2  
mW  
mW/°C  
A
D
G
Derate above 25°C (Note 2)  
1
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 2)  
R
q
JA  
446  
°C/W  
L
= Device Code  
(180° Clockwise Rotation)  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
Characteristic (Dual Heated) (Note 3)  
Symbol  
Max  
Unit  
M
G
Total Device Dissipation T = 25°C  
P
D
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C (Note 1)  
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1)  
R
q
JA  
357  
°C/W  
Total Device Dissipation T = 25°C  
P
D
420  
3.4  
mW  
mW/°C  
A
ORDERING INFORMATION  
Derate above 25°C (Note 2)  
†
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 2)  
R
q
JA  
297  
°C/W  
Device  
Package  
Shipping  
NST3946DP6T5G SOT−963 8000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Junction and Storage Temperature Range T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
2
1. FR−4 @ 100 mm , 1 oz. copper traces, still air.  
2
2. FR−4 @ 500 mm , 1 oz. copper traces, still air.  
3. Dual heated values assume total power is sum of two equally powered channels  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
July, 2008 − Rev. 1  
NST3946DP6/D  
 
1234567

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