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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 1.54 | 最小击穿电压： | 50 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 标称二极管电容： | 0.23 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 最大二极管正向电阻： | 4.5 Ω |
| 二极管电阻测试电流： | 10 mA | 二极管电阻测试频率： | 100 MHz |
| 二极管类型： | PIN DIODE | 频带： | VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 最大功率耗散： | 0.1 W | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 反向测试电压： | 50 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE | 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1SV246-TL-E | ONSEMI |
功能相似  |
PIN Diode, 50V, 50mA, rs=5 Ohm(typ), Dual MCP |
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| 1SV315-TL-E | ONSEMI |
功能相似 |
PIN 二极管，50 V，50 mA，rs=典型值 6 Ω，双 MCP |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSVP264SDSF3T1G | ONSEMI |
获取价格 |
射频二极管，双串联 PIN，适用于 VHF、UHF 和 AGC |
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| NSVPZTA92T1G | ONSEMI |
获取价格 |
高压 PNP 双极晶体管 |
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| NSVPZTA92T3G | ONSEMI |
获取价格 |
高压 PNP 双极晶体管 |
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| NSVR0170HT1G | ONSEMI |
获取价格 |
70V, 100mA Schottky Barrier Diode Series in X2DFNW2 |
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| NSVR0170MX2WT5G | ONSEMI |
获取价格 |
70V, 100mA Schottky Barrier Diode Series in X2DFNW2 |
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| NSVR0170P2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
70V, 100mA Schottky Barrier Diode Series in X2DFNW2 |
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| NSVR02100HT1G | ONSEMI |
获取价格 |
肖特基势垒二极管 |
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| NSVR0230M2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
肖特基势垒整流器，30V，200mA，低 VF |
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| NSVR0230P2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
肖特基势垒整流器，200 mA，30 V |
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| NSVR0240HT1G | ONSEMI |
获取价格 |
40 V，0.25 A 低红外肖特基二极管 |
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