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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> NSVM1MA152WKT1G
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NSVM1MA152WKT1G

更新时间： 2024-11-30 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 47K
描述
80 V 双共阴极开关二极管

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NSVM1MA152WKT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SC-59, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.68配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.2 W参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：80 V最大反向恢复时间：0.003 µs
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

NSVM1MA152WKT1G 数据手册

 浏览型号NSVM1MA152WKT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NSVM1MA152WKT1G的Datasheet PDF文件第3页 
M1MA151WKT1,  
M1MA152WKT1  
Preferred Device  
Common Cathode Silicon  
Dual Switching Diodes  
These Common Cathode Silicon Epitaxial Planar Dual Diodes are  
designed for use in ultra high speed switching applications. These  
devices are housed in the SC−59 package which is designed for low  
power surface mount applications.  
http://onsemi.com  
SC−59 PACKAGE SINGLE SILICON  
SWITCHING DIODES 40 V/80 V 100 mA  
SURFACE MOUNT  
Features  
• Fast t , < 3.0 ns  
rr  
3 CATHODE  
• Low C , < 2.0 pF  
D
• Pb−Free Packages are Available  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
2
1
ANODE  
Reverse Voltage  
V
R
M1MA151WKT1  
M1MA152WKT1  
40  
80  
Vdc  
SC−59  
CASE 318D  
Peak Reverse Voltage  
Forward Current  
V
RM  
M1MA151WKT1  
M1MA152WKT1  
40  
80  
Vdc  
1
I
F
Single  
Dual  
100  
150  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
MARKING DIAGRAM  
Peak Forward Current  
I
FM  
Mx M G  
Single  
Dual  
225  
340  
G
Peak Forward Surge Current  
I
FSM  
Single  
Dual  
500  
750  
(Note 1)  
Mx = Device Code  
x =T for 151  
U for 152  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Rating  
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
mW  
°C  
Power Dissipation  
P
D
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
J
150  
T
stg  
−55 to +150  
°C  
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. t = 1 SEC  
†
Device  
Package  
Shipping  
M1MA151WKT1  
M1MA151WKT1G  
SC−59  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
SC−59  
(Pb−Free)  
M1MA152WKT1  
SC−59  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
M1MA152WKT1G  
SC−59  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 8  
M1MA151WKT1/D  
 
123

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